參數(shù)資料
型號: 2SD1527
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重擴散(三倍擴散npn型晶體管)
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2SD1527
2SD1527
3
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Area of Safe Operation
30
100
300
1,000
3,000
0.01
0.1
1.0
T
C
= 25
°
C
P
C
=25W
DC Operation
(50 V, 0.5 A)
(600 V, 0.042 A)
(1,000 V, 0.015 A)
Collector current I
C
(A)
B
B
(
1
2
5
10
20
50 100 200
500
0
1
2
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
/I
= 10
Ta = 25
°
C
Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1563A Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor
2SD1577 Silicon Diffused Power Transistor
2SD1610 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
2SD1609 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
2SD1616A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1527(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1531 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB
2SD1535 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1536M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1537 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 40V 3A 25W BCE