參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1484KT146Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|的SOT - 23VAR
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大?。?/td> 34K
代理商: 2SD1484KT146Q
2SC1775, 2SC1775A
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-1056 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency low noise amplifier
Complementary pair with 2SA872/A
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD1484KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1485 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD14850P 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1491-K(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1492 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-651500V 1.5A 50W BCE