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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1445PQ |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | 2SD1445PQ |
Power Transistors
306
2SD1445, 2SD1445A
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton, tstg, tf IC
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
20
60
40
80
10
50
30
70
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=2.0W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature T
a
(C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
06
15
24
3
0
2
4
6
10
8
TC=25C
IB=100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
IC/IB=20
TC=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
30
10
1
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
IC/IB=20
25C
–25C
TC=100C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.1
30
10
1
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
VCE=10V
TC=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
0.03
0.3
3
0.3
3
30
300
VCE=10V
f=10MHz
TC=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
05
4
3
2
1
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=30(IB1=–IB2)
VCC=30V
TC=25C
tstg
tf
ton
Collector current I
C
(A)
Switching
time
t
on
,t
stg
,t
f
(
s
)
0.01
0.03
13
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1000
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=10ms
t=1ms
DC
2SD1445
2SD1445A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1472CTTL | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1472CTUL | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1472CT | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1472CTTR | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1472CTUR | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1446 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1450 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR S-TYPE25V .5A .3W ECB |
| 2SD145000A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20V 500MA NEW S RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD14500RA | 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD14500SA | 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
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