參數資料
型號： 2SD1327P
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220, FULL PACK-3
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 168K
代理商： 2SD1327P
2
Power Transistors
2SD1327
PC —Ta
IC —VCE
VCE(sat) —IC
VBE(sat) —IC
hFE —IC
IC —Lcoil
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
05
4
13
2
0
12
10
8
6
4
2
I
B=4.0mA
T
C=25C
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
30
10
1
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=500
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
30
10
1
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C/IB=500
25C
100C
T
C=–25C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE=3V
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
R
BE=100
T
C=25C
50mJ
Load inductance L
coil
(mH)
Collector
current
I
C
(A
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
10–2
10–1
1
10
103
102
(1) Without heat sink
(2) With a 100
× 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
相關PDF資料
PDF描述
2SD1349 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SD1366A-AD SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1366AACTR 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1366AADTR 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1366AADUR 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
2SD1328 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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