參數(shù)資料
型號： 2SD1319P
英文描述： TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 60V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至221VAR
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2SD1319P
2
Transistor
2SD1302
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
R
on
— I
B
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
800
600
200
500
700
400
100
300
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
6
5
4
1
3
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25C
2.5mA
2.0mA
1.5mA
0.5mA
1.0mA
3.0mA
3.5mA
I
B
=4.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=25
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CE
=2V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
24
20
16
12
8
4
I
=0
Ta=25C
f=1MHz
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.01
0.1
1
10
0.03
Base current I
B
(mA)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
f=1kHz
V=0.3V
V
B
R
on
measuring circuit
I
B
=1mA
V
A
V
O
o
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1319Q Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1319R TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
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