參數(shù)資料
型號： 2SD1306
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2SD1306
2SD1306
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
30
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
15
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
5
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
1.0
A
VCB = 20 V, IE = 0
DC current transfer ratio
hFE*
1
250
—
800
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Base to emitter voltage
VBE
—
1.0
V
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
0.5
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA*
2
Gain bandwidth product
fT
—
250
—
MHz
VCE = 1 V, IC = 150 mA*
2
Notes: 1. The 2SD1306 is grouped by hFE as follows.
2. Pulse test
Grade
D
E
Mark
ND
NE
hFE
250 to 500
400 to 800
相關PDF資料
PDF描述
2SD1314 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1367BCTR-E 2000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1368CAUR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1368CBTR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1368CBTL 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1306NE-TL 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 15V 0.7A 3PIN MPAK - Tape and Reel
2SD1306NE-TL-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD131 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 100V 5A 50W BEC
2SD1312 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SP-8 120V 1A 1W ECB
2SD1314(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 450V 15A 100 TO3P(L) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor 制造商:Toshiba 功能描述:Trans Darlington NPN 450V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*