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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1277Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | 2SD1277Q |
2SD1277, 2SD1277A
2
SJD00191BED
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
0
05
12
4
3
12
10
8
6
4
2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=4.0mA
TC=25C
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
(1) IC/IB=250
(2) IC/IB=500
(3) IC/IB=1000
TC=25C
(3)
(1)
(2)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=500
TC=100C
25C
–25C
0.1
10
1
0.01
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=500
25C
100C
TC=–25C
0.1
1
10
100
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=3V
25C
–25C
TC=100C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=10ms
t=1ms
DC
2SD1277
2SD1277A
1
102
101
10
103
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1279 | 10 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SD1280AQ | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1280R | 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1280T | 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1280GQ | 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1277R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1279 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD1280 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD12800RL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12800SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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