參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1274A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
中文描述： 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2SD1274A
2
Power Transistors
2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
Area of safe operation, horizontal operation ASO
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
I
B
=45mA
5mA
10mA
15mA
20mA
25mA
30mA
35mA
40mA
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
8
6
2
5
7
4
1
3
T
C
=100C
25C
–25C
V
CE
=4V
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
320
80
240
160
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
<1mA
f=15.75kHz, T
=25C
Area of safe operation for
the single pulse load curve
due to discharge in the
high-voltage rectifier tube
during horizontal operation
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1274B Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1275 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)
2SD1275A Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SD1276 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)
2SD1276A Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1274B 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1274C 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1275 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SD1275/2SD1275A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:2SD1275. 2SD1275A - NPN Transistor Darlington
2SD12750P 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 2A TO-220F RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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