參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1263A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
中文描述： 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SD1263A
2
Power Transistors
2SD1263, 2SD1263A
P
C
— Ta
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=14mA
12mA
10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
T
C
=100C
25C
–25C
V
CE
=10V
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=10V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.001
0.01
0.1
1
0.003
Collector current I
C
(A)
0.03
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=1ms
10ms
DC
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1)
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1263 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1264 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1266 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1267 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1267A Silicon NPN triple diffusion planar type
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參數(shù)描述
2SD1263AP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186
2SD1263AQ 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 750MA TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1263AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186
2SD1263P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186
2SD1263Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186
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