參數(shù)資料
型號： 2SD1209(K)
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： 2SD1209(K)
2SD1209(K)
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 5
Package Dimensions
0.60 Max
0.55 Max
4.8 ± 0.4
3.8 ± 0.4
8.0
±
0.5
0.7
2.3
Max
10.1
Min
0.5 Max
1.27
2.54
0.65 ± 0.1
0.75 Max
Package Name
PRSS0003DC-A
TO-92 Mod / TO-92 ModV
MASS[Typ.]
0.35g
SC-51
RENESAS Code
JEITA Package Code
Unit: mm
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SD1209KTZ-E
2500
Hold Box, Radial Taping
Note:
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1209(K) SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1209(K) 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD1221-Y(2-7B2A) 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1222(2-7B2A) 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1224 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1209KTZ-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD1210 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
2SD1211 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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