參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1163A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 32K
代理商： 2SD1163A
2SD1163, 2SD1163A
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Rating
Item
Symbol
2SD1163
2SD1163A
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
I
C (surge)
P
C
*
1
Tj
300
350
V
Collector to emitter voltage
120
150
V
Emitter to base voltage
6
6
V
Collector current
7
7
A
Collector peak current
10
10
A
Collector surge current
20
20
A
Collector power dissipation
40
40
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SD1163
2SD1163A
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector cutoff current
I
CBO
—
—
5
—
—
—
mA
V
CB
= 300 V, I
E
= 0
V
CB
= 350 V, I
E
= 0
I
C
= 10 mA, R
BE
=
∞
—
—
—
—
—
5
mA
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
120
—
—
150
—
—
V
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
6
—
—
6
—
—
V
I
E
= 10 mA, I
C
= 0
DC current transfer ratio h
FE
Collector to emitter
saturation voltage
25
—
—
25
—
—
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 A*
1
I
C
= 5 A, I
B
= 0.5 A*
1
V
CE (sat)
—
—
2.0
—
—
1.0
V
Base to emitter
saturation voltage
V
BE (sat)
—
—
1.2
—
—
1.2
V
I
C
= 5 A, I
B
= 0.5 A*
1
Fall time
t
f
—
—
0.5
—
—
0.5
μ
s
I
CP
= 3.5 A,
I
B1
= 0.45 A
Note:
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1163 Power Bipolar Transistors
2SD1164-Z NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3
2SD1177 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
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2SD1209K Silicon NPN Epitaxial, Darlington
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1164 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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2SD1164K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
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