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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1148 |
| 廠商： | 永盛國際集團(tuán) |
| 英文描述： | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
| 中文描述： | NPN平面硅晶體管（音頻功率放大器直流到直流轉(zhuǎn)換器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SD1148 |
2SD1148 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR
AUDIO POWER AMPLIFIER
DC TO DC CONVERTER
SC-65
!
High Current Capability
!
High Power Dissipation
!
Complementary to 2SB863
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T
A
=25
℃
)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
Tstg
200
140
6
10
100
150
-55~150
V
V
V
A
W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
℃
)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
*DC Current Gain
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
I
C
=5 mA I
E
=0
I
C
=10 mA R
BE
=
∞
I
E
=5mA I
C
=0
V
CB
=100V I
E
=0
V
EB
=4V I
C
=0
V
CE
=5V I
C
=1A
V
CE
=5V I
C
=5A
I
C
=5A I
B
=0.5A
200
140
6
55
50
0.1
0.1
160
2.0
V
V
V
mA
mA
V
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SD11490RL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD11490SL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1149R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-236AB |
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