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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1140 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | 2SD1140 |
2SD1140
2009-12-21
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Collector current IC (A)
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
VBE (sat) – IC
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ol
le
ct
or
po
we
rdi
ss
ip
at
io
n
P
C
(W)
10
Common emitter
IC/IB = 1000
0.002
0.1
1
0.1
3
Ta = 50°C
100
25
3
0.3
0.01
0.03
0.3
0.5
1
5
0
0.2
0.8
20
40
80
100
140
60
120
0.4
1.0
0.6
160
1
3
10
30
10
0.5
3000
100
300
500
1000
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max
(continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
10 μs*
DC operation
(Ta = 25°C)
30
50
100 μs*
2 s*
300 ms*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1141(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD1160 | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1160 | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD1140_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington Power Transistor) |
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| 2SD1141K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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