參數(shù)資料
型號： 2SD1119
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0
中文描述： 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SD1119
2
Transistor
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Ta=25C
I
B
=7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
6
5
4
3
2
1
V
CE
=2V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=30
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=30
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0
600
500
400
300
200
100
Ta=75C
25C
–25C
V
CE
=2V
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Emitter current I
E
(A)
– 0.3
–3
400
300
100
250
350
200
50
150
V
=6V
Ta=25C
T
T
1
3
10
30
100
0
100
80
60
40
20
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
2SD1119
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SD11190RL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1119GRL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1119Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SD1119-QR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1119R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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