參數資料
型號: 2SD1062R
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220AB, 3 PIN
文件頁數: 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商: 2SD1062R
2SB826/2SD1062
No.723–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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t
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m
a
r
a
Pl
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b
m
y
Ss
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s
(
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IC
I
,
A
6
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(
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B
A
3
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(
=
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)
5
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0
(V
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V
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B
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CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
(
=
E 0
=0
6
)
(V
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g
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l
o
V
n
w
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d
k
a
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r
B
r
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i
m
E
-
o
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-
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ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
(
=
E
B =∞
0
5
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
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B
e
s
a
B
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-
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m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
)
(
=
C 0
=6
)
(V
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T
N
O
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p
s
e
S
)
1
.
0
(s
5
0
.
0s
Continued from preceding page.
PW=20
s
tr, tf≤15ns
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
4
1
F1F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=5A
(For PNP, the polarity is reversed.)
--16
--12
--14
--10
--8
--6
--4
--2
2SB826
2SD1062
IC -- VCE
IB=0
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
600mA
400mA
1A
200mA
ITR08462
0
--0.4
--1.4
--1.2
--1.0
--0.2
--0.6
--0.8
IC -- VCE
16
12
14
10
8
6
4
2
0
--16
--12
--14
--10
--8
--6
--4
--2
0
16
12
14
10
8
6
4
2
0
0.6
1.4
1.2
0.2
0.4
0.8
1.0
--80mA
--60mA
--20mA
--40mA
--800mA
--400mA
--600mA
--200mA
--1A
--100mA
IB=0
ITR08461
2SB826
VCE= --2V
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR08463
2SD1062
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR08464
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
相關PDF資料
PDF描述
2SB828R 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2SB828R 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2SB828S 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2SB828S 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2SD1064Q 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
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2SD1063Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR
2SD1063R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR
2SD1063S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR