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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1012 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SD1012 |
2SB808/2SD1012
No.676—4/5
Main Specifications
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Note : for above-mentioned hFE rank.
10
5
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100
5
7
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2
3
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1.0
10
57
2
5
7
2
3
PO -- VIN
ITR08391
10
1.0
5
7
3
2
100
5
7
3
2
10
100
25
7
3
57
32
3
THD -- PO
ITR08392
VCC=3V
RL=8
f=1kHz
VCC=3V
RL=8
f=1kHz
Output
Po
wer
,P
O
—
mW
Input Voltage, VIN — mV
T
otal
Harmonic
Distortion,
THD
—
%
Output Power, PO — mW
Sample Application Circuit : Low-voltage 3V (PO 120mW) ITL-OTL power amplifier.
Circuit configuration
For obtaining an output of more than 100mW, the middle-point voltage at the output stage and the collector voltage
of the driver transistor must be VCC/2. Therefore, the output stage is of quasi complementary configuration com-
posed of npn/npn transistors. The phase is reversed by the 2SA608 and the middle-point voltage are the output
stage and the collector voltage of the driver transistor are more to be VCC/2 so that the output can be maximized.
ITR09909
3.9k
100
DS442×2
100
150
1k
270k
22
27k
15k
D1
D2
R1
100F
6.3V
10
6.3V
10F
6.3V
220F
6.3V
TR5
TR2
TR3
INPUT
R1 : Used control idele current
For R1=820. use rank F for [TR4, 5(2SD1012)]
For R1=680. use rank G for [TR4, 5(2SD1012)]
+
330p
TR4
VCC=3V
SP
8
TR1
*
2SC536E, F
2SC536E
2SA608E, F
2SD1012F, G×2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1012-F | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012-G | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB808G | 700 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012G | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1012F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
| 2SD1012F-SPA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012F-SPA-AC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1012G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAK |
| 2SD1012G-SPA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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