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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0958R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | M-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | 2SD0958R |
2SD0958
2
SJC00199BED
hFE IC
fT IE
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
NV
I
C
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
24
20
16
12
8
4
Ta
= 25°C
IB
= 50 A
20
A
40
A
45
A
35
A
25
A
15
A
5
A
10
A
30
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
800
600
200
400
VCB
= 5 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
8
6
2
4
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0.01
0.1
1
0
160
120
40
80
VCE
= 10 V
GV
= 80 dB
Function
= FLAT
Ta
= 25°C
4.7 k
Rg
= 100 k
22 k
Noise
voltage
NV
(mV
)
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1001EL | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1001EM | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1005BV | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1006HM | Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1006HK | Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD0958S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-71 |
| 2SD0958T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-71 |
| 2SD0965 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD0965(2SD965) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
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