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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD0602AS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | 2SD0602AS |
545
Transistor
2SD0602, 2SD0602A
PC — Ta
IC — VCE
IC — IB
VCE(sat) — IC
VBE(sat) — IC
hFE — IC
fT — IE
Cob — VCB
VCER — RBE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
020
16
412
8
0
800
600
200
500
700
400
100
300
Ta=25C
I
B=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(mA
)
010
8
26
4
0
800
600
200
500
700
400
100
300
V
CE=10V
Ta=25C
Base current I
B
(mA)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C/IB=10
25C
–25C
Ta=75C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C/IB=10
Ta=–25C
25C
75C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0
300
250
200
150
100
50
V
CE=10V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
1
10
100
1000
3
30
300
0
120
100
80
60
40
20
I
C=2mA
Ta=25C
2SD602A
2SD602
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
Collector
to
emitter
voltage
V
CER
(V
)
–1
–3
–10
–30
–100
0
240
200
160
120
80
40
V
CB=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
3
10
30
100
0
12
10
8
6
4
2
I
E=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD602R | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602AQ | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0637Q | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0875R | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD0602ASL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0602Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD0602R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD0602S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD0637(2SD637) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD0637 (2SD637) - NPN Transistor |
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