參數(shù)資料
型號(hào)： 2SCR554PT100
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： 2SCR554PT100
3/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SCR554P
Electrical characteristic curves
I
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
]
A
m[
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB [V]
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB [V]
)
F
p(
bi
C
:
E
C
N
A
TI
C
A
P
A
C
T
U
P
NI
R
E
T
TI
M
E
)
F
p(
b
o
C
:
E
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N
A
TI
C
A
P
A
C
T
U
P
T
U
O
R
O
T
C
E
L
O
C
Fig.7 Emitter Input Capacitance vs.
Emitter-Base Voltage
Collector Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
V
:
E
G
A
T
L
O
V
N
OI
T
A
R
U
T
A
S
R
O
T
C
E
L
O
C
E
C
]
V[)
t
as
(
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
:
E
G
A
T
L
O
V
N
OI
T
A
R
U
T
A
S
R
O
T
C
E
L
O
CV
CE
)[V]t
a
s(
E
F
h
:
NI
A
G
T
N
E
R
U
C
D
E
F
h
:
NI
A
G
T
N
E
R
U
C
D
EMITTER CURRENT : IE[mA]
fT
[MHz]
:
Y
C
N
E
U
Q
E
R
F
N
OI
TI
S
N
A
R
T
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
Fig.6 Ground Emitter Propagation
Characteristics
Fig.1 Typical Output Characteristics
IC
[A]
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Fig.2 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι )
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
Fig3. DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ )
Fig.4 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
Ι )
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current (
ΙΙ )
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs.
Emitter Current
Fig.9 Safe Operating Area
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE[V]
IC
:
T
N
E
R
U
C
R
O
T
C
E
L
O
C
[A
]
1
10
100
1000
10000
0
0.5
1
1.5
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
1
10000
1000
100
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0
0.5
1
1.5
2
10
100
1000
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
Cob
Cib
2.5mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
5mA
Ta=25°C
3mA
4mA
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
IC/IB=20
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
IC/IB=50
20
10
VCE = 3V
Ta=125°C
75°C
25°C
-40°C
Ta=25°C
VCE = 5V
3V
100ms
10ms
1ms
Ta=25°C
VCE=10V
Single pulse
2.0mA
DC Ta=25°C
(Mounted on a
recommended land)
DC Ta=25°C
(Mounted on a ceramic board)
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PDF描述
2SD0601AQ 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
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2SD661AS 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0661T 100 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SCR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SCR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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