參數(shù)資料
型號(hào)： 2SCR523EBTL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： EMT3F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： 2SCR523EBTL
2/2
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.A
Data Sheet
2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB
Electrical characteristics curves
0.01
0.1
1
10
100
0
0.6
0.8
0.4
0.2
1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
01
23
45
IB=350uA
IB=300uA
IB=250uA
IB=200uA
IB=150uA
IB=100uA
IB=50uA
IB=0A
IB=500uA
IB=450uA
IB=400uA
10
100
1000
0.1
1
10
100
Cob
Cib
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
DC
CURENT
GAIN
:h
FE
TRANSITION
FREQUENCY
:f
T(MHz)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
Cob
(pF)
Cib
(pF)
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0
IC=0
IC/IB = 20/1
IC/IB =10/1
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
VCE = 10V
Ta=25
°C
IC/IB= 10/1
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
Ta=25
°C
Ta=25
°C
VCE =2V
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
VCE=5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SCR552PT100 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SCR553PT100 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SCR554RTL 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0592AR 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD0592AS 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SCR523MT2L 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VMT T/R
2SCR523UB 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor(50V,0.1A)
2SCR523UBTL 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SCR523V1T2L 功能描述:兩極晶體管 - BJT BiPolar Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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