參數(shù)資料
型號: 2SCR514PT100
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: 2SCR514PT100
2/4
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SCR514P
Electrical characteristic (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
80
-
V
IC= 1mA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
80
-
V
IC= 100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
6-
-
V
IE= 100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
1
A VCB= 80V
Emitter cut-off current
IEBO
--
1
A VEB= 4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
100
300
mV IC= 300mA, IB= 15mA
DC current gain
hFE
120
-
390
-
VCE= 3V, IC= 100mA
Turn-on time
ton
-50
-
ns
Storage time
tstg
-
650
-
ns
Fall time
tf
-
100
-
ns
*1 Pulsed
*2 See switching time test circuit
pF
VCB= 10V, IE=0A
f=1MHz
-
IC= 0.35A,IB1= 35mA,
IB2=-35mA,VCC 10V
Conditions
Parameter
MHz
320
-
VCE= 10V
IE=-200mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
-
-6
Collector output capacitance
Cob
*2
~_
*1
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PDF描述
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