參數(shù)資料
型號： 2SC6096
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SC6096
2SC6096
No. A0434-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=300mA
300
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
13
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=100mA
100
150
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=100mA
0.85
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
6.5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
1100
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
VR10
RB
VCC=50V
10IB1= --10IB2=IC=0.5A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0
2.0
1.6
1.2
0.4
0.2
0.8
1.8
1.4
0.6
1.0
0
0.2
0.1
0
0.4
0.6
0.8
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
IT11115
10mA
20mA
40mA
80mA
100mA
IB=0mA
5mA
2mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IT11116
60mA
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
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PDF描述
2SC6097-TL 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6097 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6100 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6101 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SA2196 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
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