參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6095
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SC6095
2SC6095
No. A0411-3/4
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
VCE(sat) -- IC
VBE(sat) -- IC
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
hFE -- IC
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Ta=75
°C
--25
°C
IT11076
25
°C
0.01
3
25
0.1
73
25
7
3
25
1.0
0.1
0.01
5
3
2
7
5
3
7
2
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2.5
2.0
1.5
0.5
1.0
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
IT11070
5mA
10mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IB=0mA
2mA
1mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IT11071
5
3
2
100
10
7
IT11074
Ta=75
°C
--25
°C
IT11075
IC / IB=10
25
°C
3
1.0
2
3
Ta= --25°C
25°C
75°C
2
7
5
IC / IB=10
IT11077
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
100
1000
7
5
3
2
5
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
5
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
7
100
10
1000
5
3
2
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
3
25
1.0
0.1
3
25
1.0
73
25
7
2
3
10
57 100
0.1
0.01
5
3
2
7
5
3
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
5
VCE=5V
IT11072
IT11073
IC / IB=20
VCE=10V
f=1MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SC6097-TL 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6097 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6100 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6101 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
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參數(shù)描述
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2SC6096 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
2SC6096-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6096-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC6097 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
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