- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33420 > 2SC5999 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5999 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC5999 |
2SC5999
No.8029-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
170
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10A, IB=500mA
150
300
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10A, IB=500mA
0.93
1.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100A, IE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=100A, IC=0
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
230
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
1300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2069C
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
10.2
1.2
2.55
4.5
0 to 0.3
0.4
1.3
9.9
3.0
2.7
1.35
8.8
1.4
1.5max
0.8
12
3
VR
RB
VCC=20V
IC=20IB1= --20IB2=4A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IT07555
0
16
14
12
10
8
6
4
2
02
4
6
10
8
IT07556
0
25
20
15
10
5
01
2
3
5
4
IB=0
50mA
5mA
10mA
15mA
150mA
100mA
250mA 200mA
25mA
20mA
30mA
35mA
40mA
45mA
50mA
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5999 | 25 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6011O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6014 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6016 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC6000 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications |
| 2SC6000(TE16L1,NQ) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 50V 7A hfe250-400 13ns |
| 2SC6010 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SC6010(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC6010(T2MITUM,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。