參數(shù)資料
型號： 2SC5979
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SC5979
2SC5979
No.8070-2/4
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Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=500mA
400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
15
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=50mA
70
105
mV
IC=2A, IB=100mA
120
180
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2A, IB=100mA
0.88
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0
100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
20
ns
Package Dimensions
unit : mm
2045B
2044B
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
5.0
6.5
0.85
0.7
0.6
1.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
0.5
1.2
2.3
0.5
1
23
4
2.3
VR10
RB
VCC=25V
IC=10IB1= --10IB2=1A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
470
F
100
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
2.3
0.5
1.5
5.5
0.8
7.0
1.2
2.5
5.0
0.85
0.5
1.2
0 to 0.2
2.3
0.6
12
4
3
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PDF描述
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