參數(shù)資料
型號： 2SC594
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|至5
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代理商： 2SC594
2SC5907
Rev.0, Oct. 2002, page 2 of 19
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
15
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
4.0
V
Emitter to base voltage
V
EBO
1.5
V
Collector current
I
C
80
mA
Collector power dissipation
P
C
80
mW
°
C
°
C
Junction temperature
Tj
150
Storage temperature
Tstg
–55 to 150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
120
140
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
pF
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
1.0
V
CE
= 3.5 V, R
BE
= Infinite
Emitter cutoff current
I
EBO
0.5
V
EB
= 0.8 V, I
C
= 0
DC current transfer ratio
h
FE
170
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
Reverse transfer capacitance
C
re
0.45
V
CB
= 1 V, Emitter ground,
f = 1 MHz
Collector output capacitance
C
ob
5.0
0.85
1.0
PF
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
f
T
(1)
7.5
GHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
f = 1 GHz
Gain bandwidth product
f
T
(2)
15.0
GHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 40 mA
f = 1 GHz
Power gain
PG
11.0
14.0
dB
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Noise figure
NF
1.2
1.8
dB
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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