參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5945TR-E
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件頁數(shù)： 32/36頁
文件大?。?/td> 350K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 5 of 35
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Scale: 3 / div.
Scale: 0.03 / div.
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S11 Parameter vs. Frequency
S21 Parameter vs. Frequency
S12 Parameter vs. Frequency
S22 Parameter vs. Frequency
Condition: VCE = 3 V, ZO = 50
400 to 3000 MHz (100 MHz Step)
Condition: VCE = 3 V, ZO = 50
400 to 3000 MHz (100 MHz Step)
Condition: VCE = 3 V, ZO = 50
400 to 3000 MHz (100 MHz Step)
Condition: VCE = 3 V, ZO = 50
400 to 3000 MHz (100 MHz Step)
(IC = 100 mA)
(IC = 250 mA)
(IC = 100 mA)
(IC = 250 mA)
(IC = 100 mA)
(IC = 250 mA)
(IC = 100 mA)
(IC = 250 mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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