參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5934
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SC5934
2SA1740 / 2SC4548
No.3188-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)30V, IC=(--)10mA
70
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)30V, f=1MHz
(5)4
pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre
VCB=(--)30V, f=1MHz
(4)3
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
(--0.8)0.6
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
(--)1.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)400
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.25
μs
Turn-DFF Time
toff
See specified Test Circuit.
5.0
μs
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RL
VCC=150V
VBE=--1V
IC=10IB1= --10IB2=50mA
RL=3kΩ, RB=200Ω at IC=50mA
For PNP, the polarity is reversed
+
INPUT
OUTPUT
RB
100
μF
470
μF
PW=20
μs
IB1
D.C.
≤1%
IB2
50
Ω
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
--20
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.2
--1.0
--0.8
--1.4
ITR04445
--120
--40
--60
--80
--100
2SA1740
VCE=--10V
20
0
0.2
0.4
0.6
1.2
1.0
0.8
1.4
ITR04446
120
40
60
80
100
2SC4548
VCE=10V
T
a=70
°C
25
°C
--30
°C
T
a=70
°C
25
°C
--30
°C
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PDF描述
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