參數(shù)資料
型號： 2SC5831
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 32K
代理商： 2SC5831
2SC5831
No.7261-3/4
1.0
7
10
7
5
3
2
23
5
7
10
23
2
3
57
100
IC -- L
L -- mH
ITR06011
RBE=100
Tc=25
°C
VBE(sat) -- IC
ITR06010
0.1
1.0
7
2
5
3
7
2
5
3
0.01
7
2
5
3
10
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
23
5
7
10ms
100
s
IT04046
A S O
1ms
Ta=25
°C,
DC
operation
Tc=25
°C
DC
operation
25mJ
ICP=4A
10
s
IC=2A
VCE(sat) -- IC
ITR06009
1.0
7
5
3
10
7
5
3
2
23
5
7
0.1
1.0
23
5
120°C
IC / IB=250
1.0
7
5
3
10
7
5
3
2
23
5
7
0.1
1.0
23
5
IC / IB=250
Ta= --40°C
25°C
120°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Ta= --40
°C
25°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
20
060
40
80
100
160
140 150
120
PC -- Ta
ITR06013
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Case Temperature, Tc --
°C
20
060
40
80
100
160
140 150
120
PC -- Tc
IT05036
0
0.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.4
1.5
1.6
0
2
10
8
6
4
12
No
heat
sink
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2SC584600L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5846G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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