參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5824
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power transistor (60V, 3A)
中文描述： 功率晶體管（60V的，3A）條
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SC5824
2SC5824
Transistor
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/3
Parameter
Symbol
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
fT
h
FE
C
ob
T
on
Min.
6
120
200
20
50
1.0
1.0
200
500
390
I
E
=
100
μ
A
V
CB
=
40V
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
V
EB
=
4V
I
C
=
2A, I
B
=
200mA
I
C
=
3A,
I
B1
=
300mA
I
B2
=
300mA
V
CC
25V
V
CE
=
10V, I
E
=
100mA, f
=
10MHz
V
CB
=
10V, I
E
=
0mA, f
=
1MHz
V
μ
A
μ
A
MHz
pF
mV
ns
T
stg
150
ns
Tf
30
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BV
CEO
60
V
I
C
=
1mA
Collector
emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector
emitter staturation voltage
BV
CBO
60
I
C
=
100
μ
A
V
Collector
base breakdown voltage
Emitter
base breakdown voltage
2
1
1
1 Non repetitive pulse
2 See switching charactaristics measurement circuits
!
h
FE
RANK
Q
R
120-270
180-390
!
Electrical characteristic curves
Fig.1 Safe operating area
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
Single non repoetitive pulse
DC
1ms
10ms
1
10
0.1
100
10
1
0.1
0.01
100ms
Fig.2 Switching Time
1
0.01
0.1
10
1000
100
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
S
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
25V
I
C
/I
B
=
10/1
Tstg
Tf
Ton
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
0.001
0.01
0.1
10
1
1
10
100
1000
Ta
=
125
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
V
CE
=
2V
0.001
0.01
0.1
10
1
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current
D
F
V
CE
=
5V
V
CE
=
3V
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
C
V
C
(
)
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
1
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. Collector Current
I
C
/I
B
=
10/1
Ta
=
125
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
0.001
0.1
0.01
10
1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
V
C
s
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
Ta
=
25
°
C
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