參數(shù)資料
型號： 2SC5812
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier
中文描述： npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2SC5812
2SC5812
Rev.0, Nov. 2001, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
15
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
4
V
Emitter to base voltage
V
EBO
1.5
V
Collector current
I
C
50
mA
Collector power dissipation
P
C
80
mW
°
C
°
C
Junction temperature
Tj
150
55 to +150
Storage temperature
Tstg
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
100
120
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
pF
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
1
V
CE
= 4 V, R
BE
= Infinite
Emitter cutoff current
I
EBO
0.1
V
EB
= 0.8 V, I
C
= 0
DC current transfer ratio
h
FE
150
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
Reverse transfer capacitance
C
re
0.2
V
CE
= 1 V, Emitter ground,
f = 1 MHz
Collector output capacitance
C
ob
0.4
0.7
pF
V
CB
= 1 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Gain bandwidth product
f
T
(1)
8
14
11
GHz
V
CE
= 1V, I
C
= 5 mA
Gain bandwidth product
f
T
(2)
|S
21
|
2
15
GHz
V
CE
= 1V, I
C
= 20 mA
Forward transmission
coefficient
17
dB
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Noise figure
NF
1.0
1.7
dB
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz,
Γ
S
=
Γ
L
= 50
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