參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5810
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： 2SC5810
2SC5810
2006-11-10
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
―
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 0.1 A
400
―
1000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 0.3 A
200
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 300 mA, IB = 6 mA
―
0.17
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 300 mA, IB = 6 mA
―
1.10
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
5
―
pF
Rise time
tr
―
35
Storage time
tstg
―
680
―
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1.
VCC ≈ 30 V, RL = 100 Ω
IB1 = IB2 = 10 mA
―
85
―
ns
Marking
Figure 1 Switching Time Test Circuit &
Timing Chart
IB2
IB1
20
μs
Output
Input
IB2
IB1
R
L
VCC
Duty cycle
< 1%
3
C
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
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2SC5823-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 1.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
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