參數(shù)資料
型號： 2SC5801
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M13, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 56K
代理商： 2SC5801
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm2 X 1.0 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
9
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
5.5
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
100
PT2
Total Power Dissipation
mW
140
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
Ambient Temperature, TA (
°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm2 1.0mm(t) )
f = 1 MHz
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
12345678
9
NE851M13
VCE = 2 V
100
80
60
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
8
6
4
2
0
1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Gain
Bandwidth
Product,
f
T
(GHz)
Collector Current, IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
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