參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5800-T1
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/24頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： 2SC5800-T1
Data Sheet P15660EJ1V0DS
15
2SC5800
VCE = 2 V, IC = 1 mA, ZO = 50
Frequency
S11
S21
S12
S22
K
MAG/MSG
(GHz)
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
(dB)
(deg.)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
4.0
5.0
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0.794
0.799
0.794
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178.7
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167.7
164.6
161.6
158.9
156.3
153.8
151.3
149.3
147.6
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71.1
67.1
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30.5
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0.72
0.09
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2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SC581300L 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5819(TE12L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62
2SC582 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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