參數(shù)資料
型號： 2SC5787
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SC5787
NE662M16
NE662M16 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR NEC RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
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01/22/2002
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MODEL RANGE
Frequency:
0.1 to 4 GHz
Bias:
VCE = 0.5 V to 3 V, IC = 1 mA to 30 mA
Date:
01/15/2002
Parameters
NE662M16
CCB
0.07e-12
CCE
0.09e-12
LB
0.4e-9
LE
0.14e-9
CCEPKG
0.12e-12
CBEPK
0.1e-12
LBX
0.1e-9
LCX
0.6e-9
LEX
0.04e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
1.6e-16
MJC
0.3
BF
105
XCJC
0.1
NF
1.02
CJS
0
VAF23
VJS
0.75
IKF
0.38
MJS
0
ISE
1e-6
FC
0.6
NE
30
TF
2e-12
BR
12
XTF
0.2
NR
1.02
VTF
0.2
VAR
2.5
ITF
0.03
IKR
0.1
PTF
0
ISC
3e-15
TR
1e-11
NC
1.28
EG
1.11
RE
1.1
XTB
0
RB
6
XTI
3
RBM
3.5
KF
0
IRB
1.3e-3
AF
1
RC
8.75
CJE
0.4e-12
VJE
0.6
MJE
0.5
CJC
0.1e-12
VJC
0.75
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
(1) Gummel-Poon Model
Base
Emitter
Collector
LBX
LB
LEX
LE
LCX
CCB
CCE
CCEPKG
CBEPKG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5787(NE894M13) Discrete
2SC644 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SC693 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC734 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC735 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-98VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5808-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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