參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5786(NE894M03)
英文描述: Discrete
中文描述: 離散
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 63K
代理商: 2SC5786(NE894M03)
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 1 GHz
NF
Ga
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 1 GHz
NF
Ga
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
NE662M16
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 1.5 GHz
NF
Ga
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 1.5 GHz
NF
Ga
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 2 GHz
NF
Ga
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
NF
Ga
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5787 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5787(NE894M13) Discrete
2SC644 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SC693 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC734 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5808-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube