參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5778
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 32K
代理商： 2SC5778
2SC5778
No.6992-2/4
0
2
IC -- VCE
IT03523
IT03525
IT03524
IT03526
6
4
14
12
10
8
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
8
6
16
14
12
10
4
2
1.0
hFE -- IC
23
5
7
2
35
7
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
2
35
7
1.0
10
3
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
IB=0
0.1A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.6A
2.0A
1.0A
1.8A
1.4A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
Ta= --40°
C
T
a=
-
-40
°C
120
°C
25°C
25
°C
VCE=5V
IC / IB=5
120
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
8
hFE2VCE=5V, IC=11A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10A, IB=2.5A
3.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10A, IB=2.5A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A
0.2
s
Diode Forward Voltage
VF
IEC=12A
2.2
V
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=28.6
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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