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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5777 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SC5777 |
2SC5777
No.6991-2/4
0
1
IT03533
IT03535
IT03534
IT03536
3
2
10
9
8
7
6
5
4
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
8
5
6
10
9
4
3
2
1
1.0
hFE -- IC
IC -- VCE
23
5
7
23
5
7
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
23
5
7
1.0
10
0.01
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
IB=0
0.2A
0.1A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.6A
2.0A
1.0A
1.8A
1.4A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
Ta=
--40
°C
120
°C
25°
C
VCE=5V
IC / IB=5
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
8
hFE2VCE=5V, IC=7A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=6.3A, IB=1.6A
3.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=6.3A, IB=1.6A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
0.2
s
Diode Forward Voltage
VF
IEC=8A
2.2
V
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=40
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5015-KB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1787-E | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4650-F | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1798R | 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4425N | 25 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5778 | 制造商:Sanyo Fisher 功能描述:800V 15A 85W Bce Sanyo Transistor TO-3Pmlh |
| 2SC578 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR60V .5A .6W |
| 2SC5784(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A TSM |
| 2SC5785(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 10V 2A hfe1000 25ns PW-M |
| 2SC57880PA | 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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