參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5730KT146R
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SMT3, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC5730KT146R
2SC5730K
Transistors
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE (sat)
hFE
fT
Cob
Ton
Tstg
Tf
1 Non repetitive pulse
2 See Switching charactaristics measurement circuits
1
2
IC
=1mA
IC
=100A
IE
=100A
VCB
=20V
VEB
=4V
IC
=500mA
IB
=50mA
VCE
=2V
IC
=100mA
VCE
=10V
IE
= 100mA
f
=10MHz
VCB
=10V
IE
=0A
f
=1MHz
30
6
120
150
280
7
40
150
50
1.0
300
390
V
A
mV
MHz
pF
ns
IC
=1.0A
IB1
=100mA
IB2
= 100mA
VCC 25V
hFE RANK
Q
120
270
R
180
390
Electrical characteristic curves
0.1
1
100
10
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
0.001
0.01
1
0.1
10
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.1 Safe Operating Area
Single
non repetitive
Pulsed
100ms
10ms
1ms
DC
0.01
0.1
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
SWITCHING
TIME
:
(ns)
Fig.2 Switching Time
Ta
=25°C
VCC
=25V
IC / IB
=10 / 1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι)
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
VCE
=2V
0.001
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.4 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ)
Ta
=25°C
VCE
=5V
VCE
=3V
VCE
=2V
0.001
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
IC / IB
=10 / 1
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (
Ι)
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
0.001
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
Ta
=25°C
IC / IB
=20 / 1
IC / IB
=10 / 1
Fig.6 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (
ΙΙ)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5730TLQ 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5736-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5736-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5739P 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC5739Q 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5730TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5731T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5731T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5732TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*