參數(shù)資料
型號： 2SC5720
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS
中文描述： 介質(zhì)功率放大器應(yīng)用STOROBO Flash應(yīng)用
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： 2SC5720
2SC5720
2001-10-03
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5720
MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
STOROBO FLASH APPLICATIONS
Low Saturation Voltage:
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
V
CE (sat) (1)
= 0.25 V (max)
(I
C
= 3 A/I
B
= 60 mA)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
15
V
Collector-Emitter voltage
V
CEO
10
V
Emitter-Base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
5
Collector current
Pulsed
I
CP
9
A
Collector power dissipation
P
C
(Note1)
550
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
C
Note1: When a device is mounted on a glass epoxy board
(35 mm 30 mm 1mm)
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
15 V, I
E
0
0.1
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
0.1
A
Collector-Emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
I
C
1 mA, I
B
0
10
V
h
FE(1)
(Note2) V
CE
1.5 V, I
C
0.5 A
700
2000
h
FE(2)
(Note2) V
CE
1.5 V, I
C
2 A
450
DC current gain
h
FE(3)
(Note2) V
CE
1.5 V, I
C
5 A
V
CE (sat)
I
C
3 A, I
B
60 mA
240
Collector-Emitter saturation voltage
(Note2)
0.25
V
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
10 V, I
E
0, f 1 MHz
30
pF
Note2: Pulse test
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-4E1A
Weight: 0.13 g (typ.)
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2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5730KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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