參數(shù)資料
型號: 2SC5716
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 164K
代理商: 2SC5716
2SC5716
2004-07-07
4
Base current IB (A)
VCE – IB
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IC = 6 A
Common emitter
Tc
= 100°C
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IC/IB = 2
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Common emitter
Tc
= 100°C
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0.8
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IC = 6 A
Common emitter
Tc
= 25°C
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IC = 6 A
0.4
0.8
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1.6
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8
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Tc
= 25°C
10
0.05
0.2
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0.1
0.5
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IC/IB = 2
6
Common emitter
Tc
= 25°C
8
10
0.05
0.2
1
3
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10
30
50
100
0.1
0.5
1
0.3
5
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IC/IB = 2
6
Common emitter
Tc
= 25°C
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