參數(shù)資料
型號： 2SC5703
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： 2SC5703
2SC5703
2001-12-17
4
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
T
r
t
Curves should be applied in thermal limited area.
Single nonrepetitive pulse Ta
=
25°C
Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
1000
1
0.001
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
100
0.1
1
0.1
1
10
IC max (pulsed)
DC operation
*
(Ta
=
25°C)
V
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
100 ms
*
10 s
*
IC max (continuous)
: Single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
Note that the curves for 100 ms
*
,
10 s
*
and DC operation
*
will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board (glass
epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
). These characteristic
curves must be derated linearly
with increase in temperature.
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2SC5706-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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