參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5696
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PMLH, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SC5696
2SC5696
No.6663-2/4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0123456789
10
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
0.1
23
5
7
1.0
23
5
7
10
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
1.0
23
5
7
10
57
0
2
4
6
8
10
12
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02492
IT02493
IT02494
IT02495
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
1.8A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
Ta=
--40
°C
120
°C
25
°C
VCE=5V
IC / IB=5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
3
11
hFE2VCE=5V, IC=8A
4
7
Fall Time
tf
IC=6A, IB1=1.2A, IB2=--2.4A
0.3
s
Storage Time
tstg
IC=6A, IB1=1.2A, IB2=--2.4A
2.0
s
Diode Forward Voltage
VF
IEC=10A
2.2
V
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
33.3
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5699 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5703 4000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5700 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5703(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5706-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*