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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5694 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SC5694 |
2SA2037 / 2SC5694
No.6587-2/5
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
++
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
10IB1= --10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02345
0
1
2
3
4
5
6
7
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02346
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
From left
200mA
180mA
160mA
--100mA
--120mA
120mA
140mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
10mA
5mA
--80mA
--10mA
--20mA
--40mA
--60mA
--5mA
IB=0
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
150
300
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(50)28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--150)130 (--300)260
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(250)300
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
15
ns
Swicthing Time Test Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2037 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2037 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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