- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33418 > 2SC5689 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5689 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SC5689 |
2SC5689
No.6654-2/4
0
1
IC -- VCE
IT02418
IT02420
IT02419
IT02421
3
2
10
9
8
7
6
5
4
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
8
6
12
10
4
2
1.0
hFE -- IC
23
5
7
23
5
7
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
23
5
7
1.0
10
0.01
100
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.6A
2.0A
1.0A
1.8A
1.4A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
Ta= --40°
C
120
°C
25°C
VCE=5V
IC / IB=5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=8A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
1.5
V
Diode Forward Voltage
VF
IEC=8A
2.0
V
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
0.1
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=40
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5690 | 15 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5694 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2037 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2037 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5696 | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5692(TE85L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5695 (Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5700 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5703(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5706-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。