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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5681 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | 2SC5681 |
2SC5681
No.6607-2/4
0
2
IC -- VCE
IT02391
IT02393
IT02392
IT02394
4
6
10
8
14
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
8
6
12
10
4
2
1.0
hFE -- IC
23
5
7
2
35
7
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
1.0
23
5
7
10
2
0.01
2
3
10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
0.1
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A 1.6A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25
°C
--40°C
Ta= --40
°C
120
°C
25°C
1.8A
VCE=5V
IC / IB=5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=12A
4
7
Collectoe-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=10.8A, IB=2.7A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10.8A, IB=2.7A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=7A, IB1=1.4A, IB2=--2.8A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=28.6
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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