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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5680 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | 2SC5680 |
2SC5680
No.6652-2/4
0
2
1
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02377
IT02379
IT02378
IT02380
4
3
6
5
8
7
10
9
12
56
34
789
10
0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
8
6
12
10
4
2
1.0
Collector Current, IC -- A
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
23
5
7
23
5
7
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
23
5
7
23
5
7
1.0
10
0.01
2
3
5
7
100
10
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
IB=0
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
1.2A
1.4A
1.6A
2.0A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25
°C
--40°C
Ta=120
°C
--40°C
25°C
1.8A
VCE=5V
IC / IB=5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
15
hFE2VCE=5V, IC=8A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=7.2A, IB=1.8A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=40
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5684 | 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5689 | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5690 | 15 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SC5700 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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