參數(shù)資料
型號： 2SC5676-T1FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： 2SC5676-T1FB
Data Sheet P15286EJ1V0DS
5
2SC5676
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
8
6
4
2
0
10
1
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
2
4
6
8
0
10
1
100
VCE = 1 V
IC = 10 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
15
20
5
10
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 10 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
15
20
5
10
0
0.1
1
10
VCE = 1 V
IC = 20 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
15
20
5
10
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 20 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
15
20
5
10
0
0.1
1
10
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