參數(shù)資料
型號: 2SC5658T2LS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: VMT3, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 171K
代理商: 2SC5658T2LS
3/3
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.04 - Rev.B
Data Sheet
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S
0.2
20
10
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
50
100
200
500
VCE=5V
3V
1V
Ta=25
°C
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (
Ι )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
20
10
50
100
200
500
25
°C
55°C
Ta=100
°C
VCE=
5V
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ )
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig. 6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.2
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
IC/IB=50
20
10
Ta=25
°C
Fig.10
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(
pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:Cib
(
pF)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
Cob
Ta=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
Cib
Fig.11 Base-collector time constant
vs. emitter current
0.2
0.5
1
2
5
10
BASE
COLLECTOR
TIME
CONSTANT
:
Ccr
bb'
(p
s)
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
10
20
50
100
200
Ta=25
°C
f=32MHZ
VCB=6V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4617TLR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5658T2LR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5663T2L 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5585TL 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5676-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5659T2LN 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5659T2LP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5661T2LP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5661T2L-P 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC5662T2LN 功能描述:兩極晶體管 - BJT VMT3 NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2