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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5651-T1 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | 2SC5651-T1 |
Data Sheet P15244EJ1V0DS
2
2SC5651
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 3 mA
80
–
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
4.0
4.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
3.0
4.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.9
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 1 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.7
0.8
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
D
hFE Value
80 to 110
100 to 145
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PDF描述 |
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